溫度范圍零下180~550℃
變溫速度0~10℃/min,升降溫線性可控
溫度分辨率及穩(wěn)定性± 0.1℃
控溫方式PID
溫度傳感器PT100
溫度傳感器數(shù)量2
致冷方式液氮(泵控制)
探針數(shù)量4(可增加)
探針材質(zhì)紫銅鍍金
測(cè)試通道4
載樣臺(tái)材質(zhì)及尺寸銀質(zhì),35*35mm(以實(shí)際尺寸為準(zhǔn))
冷熱臺(tái)尺寸160*150*29mm(以實(shí)際尺寸為準(zhǔn))
實(shí)驗(yàn)環(huán)境可抽真空,可充入保護(hù)氣氛(氮?dú)猓?,配水冷接?/span>
高低溫真空探針臺(tái)是一種用于半導(dǎo)體器件測(cè)試和研究的設(shè)備,它可以在高溫或低溫環(huán)境下進(jìn)行測(cè)量,同時(shí)具備真空操作的功能。這種設(shè)備通常用于材料科學(xué)、電子學(xué)、物理學(xué)等領(lǐng)域,特別是在半導(dǎo)體、納米材料和器件特性測(cè)試方面。
高低溫真空探針臺(tái)的主要功能和特點(diǎn)包括:
1. **溫度控制**:能夠?qū)y(cè)試樣品的溫度控制在很廣泛的范圍內(nèi),通常從液氮溫度(約-196℃)到幾百攝氏度的高溫。
2. **真空環(huán)境**:設(shè)備能夠在真空條件下工作,減少氣體對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,從而提高測(cè)量的度。
3. **電氣測(cè)量**:探針臺(tái)配備有精密的探針,可以對(duì)樣品進(jìn)行電氣測(cè)量,例如測(cè)量電流、電壓和電阻等參數(shù)。
4. **樣品對(duì)接**:探針臺(tái)通常設(shè)計(jì)有靈活的樣品支架,能夠適應(yīng)不同形狀和尺寸的樣品。
5. **自動(dòng)化和數(shù)據(jù)采集**:許多現(xiàn)代探針臺(tái)配備計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng),可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)測(cè)量和數(shù)據(jù)采集,提高測(cè)試的效率和 reproducibility(可重復(fù)性)。
高低溫真空探針臺(tái)廣泛應(yīng)用于研究和開發(fā)新型電子器件、材料特性分析以及故障分析等領(lǐng)域。它們?cè)陔娮雍凸怆娦袠I(yè)的研發(fā)中扮演著重要角色。
光學(xué)探針臺(tái)是一種用于微觀尺度上測(cè)量和分析樣品的儀器,主要應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體研究、納米技術(shù)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。其主要功能包括:
1. **高精度定位**:光學(xué)探針臺(tái)配備高精度的運(yùn)動(dòng)系統(tǒng),可以將探針或光學(xué)裝置在樣品表面上進(jìn)行微米級(jí)甚至納米級(jí)的定位,以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的測(cè)量和操作。
2. **光學(xué)成像**:利用高分辨率的成像系統(tǒng),可以對(duì)樣品進(jìn)行實(shí)時(shí)觀察,提供樣品表面的詳細(xì)信息,幫助研究人員分析結(jié)構(gòu)和特性。
3. **探針測(cè)量**:光學(xué)探針臺(tái)通常配有不同類型的探針,可以進(jìn)行電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)等性質(zhì)的測(cè)量,例如掃描探針顯微鏡(SPM)和原子力顯微鏡(AFM)等。
4. **環(huán)境控制**:許多光學(xué)探針臺(tái)可以在控制的環(huán)境條件下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)(如溫度、濕度、氣氛等),以觀察樣品在不同條件下的表現(xiàn)。
5. **數(shù)據(jù)采集和分析**:通過集成的軟件系統(tǒng),光學(xué)探針臺(tái)可以實(shí)時(shí)采集數(shù)據(jù)并進(jìn)行分析,為研究人員提供有價(jià)值的信息。
6. **樣品操作**:某些光學(xué)探針臺(tái)還具備對(duì)樣品進(jìn)行處理和操作的能力,如刻蝕、沉積等,為材料制備提供。
7. **多功能集成**:現(xiàn)代光學(xué)探針臺(tái)還可以與其他技術(shù)結(jié)合,如激光光譜、電子顯微鏡等,以實(shí)現(xiàn)更全面的分析與表征。
光學(xué)探針臺(tái)因其和多功能性,成為研究和開發(fā)中的重要工具。

微型高低溫真空探針臺(tái)是一種用于電子材料和器件測(cè)試的精密儀器,具備以下幾個(gè)主要特點(diǎn):
1. **高低溫測(cè)試能力**:能夠在極低溫(如液氮溫度)到高溫(如400°C以上)范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)試,適用于不同溫度環(huán)境下的材料性能研究。
2. **真空環(huán)境**:探針臺(tái)設(shè)計(jì)用于在高真空條件下操作,減少氧化和污染,確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
3. **高精度探測(cè)**:配備高精度的探針和測(cè)量系統(tǒng),能夠準(zhǔn)確獲取微小電流、電壓等信號(hào),適用于微小尺度器件的電測(cè)量。
4. **微型化設(shè)計(jì)**:體積小巧,便于在有限空間內(nèi)進(jìn)行操作,適合于微電子器件、納米材料等研究。
5. **靈活的樣品裝配**:通常具有友好的樣品夾具設(shè)計(jì),便于不同類型和尺寸的樣品裝配和更換。
6. **多功能性**:可能支持多種測(cè)試模式,如直流測(cè)試、交流測(cè)試、霍爾效應(yīng)測(cè)試等,適用范圍廣。
7. **易于連接**:可與其他測(cè)試設(shè)備(如示波器、信號(hào)發(fā)生器等)快速連接,便于進(jìn)行綜合測(cè)試。
總之,微型高低溫真空探針臺(tái)在材料科學(xué)、半導(dǎo)體研究和納米技術(shù)等領(lǐng)域中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

真空探針臺(tái)是一種用于微電子和材料科學(xué)領(lǐng)域的高精度測(cè)試設(shè)備,主要用于對(duì)半導(dǎo)體wafer、材料樣品的電氣特性進(jìn)行測(cè)量。其特點(diǎn)主要包括:
1. **高真空環(huán)境**:真空探針臺(tái)能夠在高真空條件下工作,減少氣體分子對(duì)測(cè)試過程的干擾,提高測(cè)量的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
2. **高精度定位**:該設(shè)備通常配備高精度的定位系統(tǒng),可以對(duì)準(zhǔn)探針與樣品的接觸點(diǎn),確保測(cè)量的準(zhǔn)確性。
3. **多樣化探針選擇**:真空探針臺(tái)支持多種類型的探針,可根據(jù)不同的實(shí)驗(yàn)需求進(jìn)行更換,適應(yīng)不同的測(cè)試任務(wù)。
4. **溫度控制功能**:許多真空探針臺(tái)配備了溫度控制系統(tǒng),能夠在特定溫度下進(jìn)行測(cè)量,對(duì)于研究材料的溫度依賴特性尤為重要。
5. **高靈敏度測(cè)量**:在真空條件下,探針臺(tái)能夠進(jìn)行更高靈敏度的電氣測(cè)量,適合于低信號(hào)的測(cè)量任務(wù)。
6. **兼容性強(qiáng)**:真空探針臺(tái)通??梢耘c多種測(cè)試設(shè)備協(xié)同使用,如網(wǎng)絡(luò)分析儀、示波器等,滿足多種測(cè)試需求。
7. **自動(dòng)化程度**:現(xiàn)代真空探針臺(tái)往往具備自動(dòng)化控制系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)對(duì)焦、掃描和數(shù)據(jù)采集,提高實(shí)驗(yàn)效率。
8. **適用范圍廣泛**:真空探針臺(tái)不僅可用于半導(dǎo)體行業(yè),還可廣泛應(yīng)用于材料測(cè)試、納米技術(shù)、生物傳感器等多個(gè)領(lǐng)域。
總體而言,真空探針臺(tái)是進(jìn)行精細(xì)化電氣測(cè)試的重要工具,其特性使其在科研和工業(yè)應(yīng)用中具有的地位。

真空探針臺(tái)是一種用于微電子器件測(cè)試與研究的精密儀器,其主要功能包括:
1. **電學(xué)測(cè)試**:能夠?qū)Π雽?dǎo)體器件進(jìn)行電性能測(cè)試,如IV(電流-電壓)特性測(cè)試、CV(電容-電壓)特性測(cè)試等。
2. **高真空環(huán)境**:提供高真空或真空環(huán)境,減少氣體分子對(duì)測(cè)試結(jié)果的干擾,特別是在處理空氣敏感材料或量子特性研究時(shí)尤為重要。
3. **微觀定位**:由于其高精度的定位功能,能夠?qū)ξ⑿〗Y(jié)構(gòu)進(jìn)行接觸和掃描,適用于納米尺度設(shè)備的測(cè)試。
4. **冷熱測(cè)試**:部分真空探針臺(tái)配備溫控系統(tǒng),可以在低溫或高溫條件下進(jìn)行測(cè)試,以研究材料和器件在不同溫度下的特性。
5. **材料表征**:能夠?qū)Ρ∧?、納米材料等進(jìn)行表征,分析其電學(xué)性質(zhì)、表面狀態(tài)等。
6. **集成化測(cè)試**:可以與其他儀器(如掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡等)聯(lián)用,進(jìn)行更深入的材料或器件分析。
總之,真空探針臺(tái)是半導(dǎo)體研究、材料科學(xué)等領(lǐng)域中的重要設(shè)備。
探針座位移平臺(tái)主要用于電子元器件、半導(dǎo)體器件以及其他微電子設(shè)備的測(cè)試和研發(fā)。其適用范圍包括但不限于以下幾個(gè)方面:
1. **半導(dǎo)體測(cè)試**:對(duì)芯片的電氣特性進(jìn)行測(cè)試,包括晶圓級(jí)測(cè)試(Wafer Testing)和封裝測(cè)試(Package Testing)。
2. **微電子器件研發(fā)**:在新產(chǎn)品開發(fā)過程中,對(duì)微小器件的電氣和物理特性進(jìn)行測(cè)量。
3. **實(shí)驗(yàn)室研究**:用于高校、研究機(jī)構(gòu)的材料科學(xué)、物理學(xué)等領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)。
4. **通信器件測(cè)試**:用于測(cè)試通信相關(guān)的IC(集成電路)和器件。
5. **自動(dòng)化生產(chǎn)線**:在自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備中,實(shí)現(xiàn)率的在線測(cè)試和監(jiān)控。
6. **設(shè)備測(cè)試**:用于一些微小設(shè)備的性能測(cè)試。
探針座位移平臺(tái)的設(shè)計(jì)與制造通常考慮的定位和穩(wěn)定性,以便能夠滿足高精度測(cè)量的需求。
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